Tải bản đầy đủ - 0 (trang)
Các hệ thống trong nhà máy điện năng lượng mặt trời PV

Các hệ thống trong nhà máy điện năng lượng mặt trời PV

Tải bản đầy đủ - 0trang

3.1.1. Mono-crystalline silicon:

Được làm từ các tấm wafer đơn tinh thể silic. Bằng phương pháp Czochralski hoặc

float zone sản xuất được khối ingot đơn tinh thể, cắt khối ingot được những tấm wafer

mỏng như hình vẽ.



3.1.2. Poly-crystalline silicon:

Được làm từ các tấm wafer đa tinh thể silic. Bằng tinh luyện ở nhiệt độ cao sản

xuất được khối ingot đa tinh thể, cắt khối ingot được những tấm wafer đa tinh thể mỏng

như hình vẽ.



Quy trình sản xuất tấm pin năng lượng mặt trời tinh thể silic:



3.1.3. Thin film:

Được làm từ các lớp mạ silic mỏng lên các tấm kính hoặc thép khơng rỉ. Q trình

sản xuất tấm pin mặt trời bằng cơng nghệ thin film như sau:

- Chuẩn bị kính (mài, cắt, đánh bóng,…);

- Phủ màng mỏng a-Si;

- Tạo rãnh bằng Laser;

- Hàn kín đường biên và gắn lớp kính bảo vệ;



3.1.4. Hiệu suất chuyển đổi:

Hiệu suất chuyển đổi năng lượng của pin PV solar tương ứng với các công nghệ

chế tạo.



Ta có thể dễ dàng nhận thấy hiệu suất chuyển đổi quang điện của pin dùng công

nghệ Crystalline silicon có hiệu suất cao hơn rất nhiều số với loại thin film. Nhưng thin

film là loại công nghệ mới và cũng có những ưu điểm nối bật của nó đặc biệt giá rẻ hơn

nhiều so với pin tinh thể.

Chất lượng của cell pin PV Solar quyết định đến hiệu suất của tấm pin. Thông

thường ta chia chất lượng cell pin PV Solar thành 24 loại khác nhau, loại A là loại từ 1

đến 8 có chất lượng cao nhất và cho hiệu suất cao nhất. Loại B từ loại 9 đến 16 và loại C

từ loại 17 đến 24. Nếu chất lượng cell pin sản xuất ra kém hơn tiêu chuẩn loại 24 thì sẽ bị

loại.

3.1.5. Sự phụ thuộc pin PV Solar vào nhiệt độ:

Một đặc tính quan trọng của pin năng lượng mặt trời là hệ số nhiêt độ. Nhiệt độ

tấm pin càng cao thì hiệu suất chuyển đổi quang điện càng giảm.

Ở nhiệt độ càng cao tốc độ chuyển động điện tử càng lớn. Khi các điện tử được

kích thích bởi photon sẽ chuyển vùng năng lượng và di chuyển về các điện cực qua vùng

tiếp xúc P- N do điện trường tiếp xúc gây ra. Với nhiệt độ càng cao chuyển động các điện

tử càng nhanh, trong q trình di chuyển các điện tử kích thích sẽ gặp các điện tử trái dấu

nhiều hơn gây ra cản trở dòng di chuyển về phía các cực của các điện tử kích thích. Vì

vậy nhiệt độ càng cao càng làm giảm hiệu suất tấm pin.

Đặc tính như hình bên dưới.



Các nhà khoa học Hungary đã làm thí nghiệm lắp đặt 3 loại pin này ở cùng một vị

trí giống nhau, chúng đều có cùng một cơng suất lắp đặt là 1kwp, mỗi loại pin lắp 3 mẫu

thử nghiệm. Qua một mùa nắng họ đã thu được kết quả như sau;

Pin mono-crystalline silicon (c-Si): 890-970kwh/kwp;

Pin poly-crystalline silicon (p-Si): 850-960 kwh/kwp;

Pin thin film silicon (a-Si): 960-1060kwh/kwp.

Như vậy, mặc dù hiệu suất chuyển đổi quang điện thấp nhưng điện năng thu được

trong cả một mùa trên1kwp của loại a-Si lại cao hơn. Bằng những thí nghiệm khác các

nhà khoa học còn xác định được pin a-Si có thể làm việc được trong điều kiện trời có

mây mù và cả trong mơi trường khơng khí có nhiệt độ cao, mà các pin c-Si và p-Si làm

việc không hiệu quả bằng.

3.1.6. Công nghệ Busbar trong sản xuất pin PV Solar:

Các tấm pin mặt trời cấu tạo từ các cell pin PV Solar. Các cell pin PV Solar giải

phóng các điện tích dưới tác động của ánh sáng mặt trời. Để tạo ra dòng điện cần phải

dồn các điện tích này thành một dòng tập trung, đó chính là nhiệm vụ các thanh finger và

busbar.



Trong đó các thanh finger là các đường dẫn phụ đưa các điện tích đến thanh

busbar là đường dẫn chính để ra điện cực ngồi. Như vậy, các đường busbar góp vai trò

quan trọng tạo nên dòng điện cho các cell pin PV Solar và tạo nên dòng điện tổng cho

tấm pin mặt trời. Với một cell pin có nhiều busbar, các electron dễ dàng tập trung để tạo

thành dòng điện hơn. Mặc khác, với các cell pin cùng diện tích, cùng cơng suất, tức cùng

sinh ra một giá trị dòng điện thì việc sử dụng nhiều busbar sẽ làm giảm giá trị dòng điện

trên mỗi busbar, điều này góp phần giảm tổn hao trên các đường busbar, đặc biệt là khi

ghép các cell pin thành một tấm pin, từ đó góp phần nâng cao hiệu suất của tấm pin mặt

trời.

Hiện nay, trên thế giới có nhiều chuẩn busbar khác nhau: 2BB, 3BB, 4BB, 5BB.

Việc sản xuất 1 tấm pin mặt trời theo chuẩn busbar nào phụ thuộc nhiều vào công nghệ

của từng nhà sản xuất, trong đó cơng nghệ 4BB đang là công nghệ tiên tiến nhất rất phổ

biến, mang lại hiệu suất cao nhất. Công nghệ 5BB đang được một số hãng nghiên cứu sản

xuất nhưng chưa áp dụng vào triển khai diện rộng do chi phí sản xuất còn khá cao.

3.2. Inverter:

Inverter có nhiệm vụ chuyển đổi điện DC từ tấm pin Solar PV thành điện AC và

hòa vào lưới điện. Ngồi ra còn đảm bảo sự chuyển đổi DC thành AC với hiệu suất cao

và kết nối với hệ thống điều khiển và giám sát hệ thống.



Sơ đồ nguyên lý của bộ Inverter 1 pha và 3 pha của INVT:



3.2.1. Bộ chuyển đổi điện DC sang AC (Bộ nghịch lưu):

Sơ đồ nguyên lý nghịch lưu dùng sơ đồ cầu một pha với tải thuần trở:



Sơ đồ nguyên lý nghịch lưu dùng sơ đồ cầu ba pha với tải thuần trở



Sơ đồ nguyên lý nghịch lưu dùng sơ đồ cầu một pha với tải có tính cảm



Sơ đồ nguyên lý nghịch lưu dùng sơ đồ cầu ba pha với tải có tính cảm:



Tài liệu bạn tìm kiếm đã sẵn sàng tải về

Các hệ thống trong nhà máy điện năng lượng mặt trời PV

Tải bản đầy đủ ngay(0 tr)

×